सिलिकॉन क्रिस्टल ग्रेफाइट

उच्च {{0}शुद्धता वाले ग्रेफाइट (99.95% से अधिक या उसके बराबर शुद्धता) और कार्बन फाइबर मिश्रित प्रौद्योगिकी का उपयोग करते हुए, तापमान प्रतिरोध सीमा 200 डिग्री से 3000 डिग्री तक पहुंच जाती है, जो सौर सिलिकॉन क्रिस्टल के विकास के लिए उच्च तापमान की आवश्यकताओं को पूरा करती है और क्रूसिबल पिघलने की हानि दर को कम करती है (<10%).

तीन आयामी खोखली संरचना के डिजाइन के माध्यम से, गर्मी चालन दक्षता को बढ़ाया जाता है, जिससे सिलिकॉन पिघल का समान तापमान वितरण सुनिश्चित होता है, क्रिस्टल दोष दर कम हो जाती है (0.3% से कम या उसके बराबर), और फोटोवोल्टिक सिलिकॉन वेफर्स की उपज में काफी सुधार होता है।

ISO 14001 पर्यावरण मानकों के अनुरूप, बिना किसी भारी धातु अवशेष (50ppm से कम या उसके बराबर सीसा) के साथ EU REACH प्रमाणीकरण प्राप्त किया गया; बड़े पैमाने पर उत्पादन तकनीक लागत को 40% कम कर देती है (पारंपरिक ग्रेफाइट क्रूसिबल की तुलना में), जिससे ग्राहक निवेश कम हो जाता है।

पारंपरिक ग्रेफाइट क्रूसिबल को प्रतिस्थापित करना, पुलर विधि (सीजेड) और ज़ोन पिघलने की विधि (जेडसी) के लिए उपयुक्त, बड़े आकार के सिलिकॉन सिल्लियों (300 मिमी से अधिक या उसके बराबर व्यास) के उत्पादन का समर्थन करता है, फोटोवोल्टिक कोशिकाओं की रूपांतरण दक्षता में सुधार करता है।

प्रतिक्रिया कक्षों के लिए एक सामग्री के रूप में, यह उच्च तापमान ऑक्सीकरण और संक्षारण के लिए प्रतिरोधी है, अर्धचालक सामग्री संश्लेषण के लिए उपयुक्त है, उपकरण रखरखाव की आवृत्ति को कम करता है।

धातुकर्म और चीनी मिट्टी जैसी उच्च तापमान वाली प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाता है, जो स्थिर ताप संचालन और इन्सुलेशन प्रदर्शन प्रदान करता है, उपकरण के जीवनकाल को बढ़ाता है।